|
Cel pracy: Celem jest wykonanie czynności niezbędnych do przystosowania istniejących stanowisk laboratoryjnych, dokonujących pomiarów wybranych parametrów tranzystorów MOSFET, do wykorzystania w procesie dydaktycznym, w tym przygotowanie instrukcji laboratoryjnej – m.in. pomiary ładunku przełączającego bramki i czasów przełączeń tranzystorów MOSFET.
Założenia: Bazę stanowią stanowiska laboratoryjne, za pomocą których wyznaczane są wybrane parametry tranzystorów MOSFET.
Motywacja: Znajomość zweryfikowanych parametrów MOSFET jest niezbędna do porównaniu właściwości różnych tranzystorów MOSFET oraz wyboru tranzystorów MOSFET do przewidzianego zastosowania. Tranzystory MOSFET, oprócz tranzystorów IGBT, są powszechnie stosowane we współczesnych przekształtnikach energoelektronicznych, w szczególności wyróżniają się krótkimi czasami przełączeń oraz niskimi stratami mocy przy klasie napięciowej do 100 V.
Opis tematu: Jak wyjaśniono powyżej należy przygotować istniejące stanowiska laboratoryjne do wykorzystania w procesie dydaktycznym, w tym przygotować instrukcję laboratoryjną. Wymagane jest przeprowadzenie prac wykończeniowych i sprawdzających. Na podstawie przeprowadzonych pomiarów dla badanych tranzystorów MOSFET wyznaczane będą m.in. ładunek przełączający i czasy przełączania tranzystorów MOSFET.
Spodziewane wyniki: Kompletne stanowisko laboratoryjne przystosowane do pomiarów wybranych parametrów tranzystorów MOSFET, w tym przygotowana instrukcja laboratoryjna.
|
