|
Cel pracy: Celem pracy jest wykonanie pomiarów różnego rodzaju tranzystorów MOSFET, IGBT z wykorzystaniem stanowiska do testu podwójnego impulsu EVBUM2897G-EVB firmy Onsemi. W wyniku prac mogą również powstać obwody drukowane z własnymi tranzystorami SiC MOSFET lub IGBT.
Założenia: W pierwszej części pracy wykonane zostaną badania na gotowych obwodach drukowanych z różnymi tranzystorami głównie firmy Onsemi. W kolejnym etapie przewiduje się zaprojektowanie własnych obwodów drukowanych z innymi tranzystorami MOSFET różnych producentów.
Motywacja: Test podwójnego impulsu (Double-pulse test) należy do standardowych badań tranzystorów służących wyznaczaniu strat energii przełączania tranzystora. Pomiary tych energii są bardzo ważne dla określenia przydatności danego tranzystora do odpowiedniego przekształtnika energoelektronicznego. Dostępne w kartach katalogowyh dane często nie obrazują wszystkich warunków pracy tranzystora i dlatego wykonanie własnych badań DPT jest bardzo ważne.
Opis tematu: Wykorzystywany w badaniach zestaw ewaluacyjny EVBUM2897G-EVB pozwala wykonywać pomiary w temperaturach 25, 125 i 150 stopni Celsjusza. Dodatkowo możliwa jest zmiana napięcia obwodu dc. W pracy przewiduje się wykonanie własnych obwodów drukowanych z różnymi tranzystorami, które mogą znaleźć zastosowanie w budowie przekształtników energoelektronicznych.
Spodziewane wyniki: Pomiary oscyloskopowe, projekt obwodów drukowanych z badanymi tranzystorami. Wykonane fizycznie obwody drukowane
|
