|
Cel pracy: Celem jest przeprowadzenie analizy ukierunkowanej na określenie wpływu pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET na właściwości rezonansowego falownika klasy E, w szczególności na uzyskiwane wartości maksymalnego napięcia na tranzystorze w porównaniu z przypadkiem pominięcia nieliniowości tej pojemności.
Założenia: Częstotliwości pracy falownika klasy E w zakresie kilkudziesięciu megaherców, gdy wpływ pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET na właściwości rezonansowego falownika klasy E jest niepomijalny. Graniczny przypadek występuje, gdy cała pojemność równoległa przyłączona do tranzystora MOSFET wytworzona jest przez pojemność tego tranzystora – brak jest zewnętrznego kondensatora.
Motywacja: Rezonansowe falowniki klasy E znajdują powszechne zastosowania jako źródła energii elektrycznej w zakresie częstotliwości megahercowych. W takim przypadku wyjściowa, nieliniowa pojemność zastosowanego tranzystora MOSFET staje się niepomijalna i ma istotny wpływ na właściwości falownika, w tym na uzyskiwaną wartość maksymalna napięcia na tranzystorze. Określenie tej wartości jest konieczne ze względu na niezawodny dobór tranzystora MOSFET zastosowanego w falowniku klasy E.
Opis tematu: Jak wyjaśniono powyżej konieczne będzie określenie wpływu pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET na właściwości rezonansowego falownika klasy E, w szczególności na uzyskiwane wartości maksymalnego napięcia tranzystora w porównaniu z przypadkiem pominięcia nieliniowości tej pojemności. Przeprowadzone zostaną pomiary wyjściowej pojemności wybranych tranzystorów MOSFET. Pomiary porównane zostaną z danymi katalogowymi. Opracowany zostanie model komputerowy (np. w programie GeckoCircuit), który posłuży do wyznaczenia odpowiednich charakterystyk.
Spodziewane wyniki: Charakterystyki porównujące właściwości wybranych tranzystorów MOSFET ze względu na możliwości zastosowań w rezonansowych falownikach klasy E oraz uzyskiwane wartości maksymalne napięcia na tranzystorze.
|
