|
Cel pracy: Celem pracy jest zaprojektowanie układu do badania właściwości statycznych i dynamicznych tranzystorów MOSFET zbudowanych z węglika-krzemu SiC.
Założenia: Opracowany układ powinien umożliwiać pomiar takich parametrów jak: czasy przełączeń tranzystora, ładunek przełączający Q, zastępczej pojemności wyjściowej.
Motywacja: Tematyka jest aktualna z punktu widzenia obecnych zastosowań przemysłowych.
Opracowany układ będzie wykorzystywany podczas ćwiczeń laboratoryjnych z Energoelektroniki.
Opis tematu: W ramach pracy student zaprojektuje specjalizowany układ do badania właściwości statycznych i dynamicznych tranzystora MOSFET zbudowanego w oparciu o węglik-krzemu SiC. Opracowany i w pełni funkcjonalny układ powinien umożliwiać pomiar takich parametrów jak: czasy przełączeń tranzystora, ładunek przełączający Q, zastępczej pojemności wyjściowej. Wszystkie wymienione parametry są niezwykle istotne z punktu widzenia projektowania całego przekształtnika w oparciu o tranzystory tego typu, dlatego znajomość tych parametrów jest niezwykle istotna. Dodatkowo student przeprowadzi, na wykonanym przez siebie układzie kilka testów porównawczych różnych tranzystorów MOSFET SiC.
Spodziewane wyniki: Zaprojektowany układ do badania właściwości tranzystora MOSFET SiC.
|
