|
Cel pracy: Analiza teoretyczna i projekt przekształtnika o mocy 200 W i wzmocnieniu napięciowym 10-15.
Założenia: Moc 200W, częstotliwość przełączania do 100 kHz, napięcie zasilania ok. 50V DC, napięcie wyjściowe 500-750V, na tranzystorach SiC MOSFET lub GaN, obciążenie rezystancyjne.
Motywacja: Temat jest przyszłościowy i nowoczesny
Opis tematu: Opisanie kilku topologii układów DC/DC o dużym wzmocnieniu. Wybranie jednego układu, symulacje komputerowe wybranego układu, projekt-dobór podzespołów.
Założenia
Napięcie zasilania (30-50) V DC
Napięcie wyjściowe z przekształtnika: 400 V DC.
Moc wyjściowa 400 W
Częstotliwość przełączania tranzystorów f=50 kHz.
Tranzystory Mosfet w technologii Si lub SiC,
dopuszczalna wartość tętnienia napięcia wyjściowego wynikająca z częstotliwości przełączania tranzystorów Up=0.5%
Spodziewane wyniki: Wyniki symulacji, wyniki sprawności, projekt obwodu drukowanego PCB, możliwe wykonanie i badania laboratoryjne.
|
