dr inż. Krzysztof Przybyła

• energoelektronika i układy sterowania,
• bezprzewodowy przesył energii elektrycznej,
• nagrzewanie indukcyjne,
• przekształtniki rezonansowe: budowa, sterowanie i modelowanie,
• falowniki wysokiej częstotliwości (f>5 MHz),
• programowanie: C/C++ (mikrokontrolery), VHDL (układy CPLD/FPGA), język Python (modelowanie obwodów).

1. Przybyła K., Kasprzak M., Legutko P., Kierepka K., Zimoch P.: Falowniki dwuczęstotliwościowe do nagrzewania indukcyjnego, Śląskie Wiadomości Elektryczne, 10.2019, Nr 5'2019, s. 22-26, bibliogr. 14 poz.
2. Przybyła K., Kasprzak M.: Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz, Przegląd Elektrotechniczny, 03.2018 94 nr 3, s. 87-90, bibliogr. 14 poz.
3. Przybyła K., Kasprzak M.: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC, Przegląd Elektrotechniczny, 03.2018 94 nr 3, s. 60-64, bibliogr. 14 poz.
4. Przybyła K.: Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC, Przegląd Elektrotechniczny, 01.2018 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.
5. Przybyła K.: Cyfrowy sterownik CPLD falownika klasy DE, Przegląd Elektrotechniczny, 05.2017 93 nr 5, s. 21-24, bibliogr. 9 poz.
6. Przybyła K.: Możliwości zastosowania tranzystorów MOSFET na bazie SiC oraz GaN w falowniku klasy DE, Elektryka, Gliwice 2016, Zeszyt 3-4 (239 240), s. 23-33, bibliogr. 25 poz.
7. Kasprzak M., Kaczmarczyk Z., Legutko P., Przybyła K.: Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET, XV Sympozjum Energoelektronika w Nauce i Dydaktyce, ENiD 2016, Gliwice-Tarnowskie Góry 2016, s. 141-144.
8. Przybyła K.: Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN, XV Sympozjum Energoelektronika w Nauce i Dydaktyce, ENiD 2016, Gliwice-Tarnowskie Góry 2016, s. 129-134.